三星电子成为全球首家成功量产并出货第六代高带宽内存（HBM4）的企业，全面发力抢占 HBM4 市场先机。

2 月 12 日，三星电子宣布，已成为全球首家量产这款行业最高性能 HBM4 内存并启动出货的企业。经与客户协商，三星将原计划于农历新年假期后启动的 HBM4 量产及出货时间提前了约一周。

自 HBM4 研发初期，三星便以超越电子元件工业联合会（JEDEC，国际半导体标准制定机构） 标准的性能指标为目标推进研发。

据悉，该新品率先采用最先进的1c 级 DRAM 工艺，量产初期便实现稳定良率，且无需重新设计即可达到行业顶尖性能水平。

目前，三星持续收到全球主流显卡厂商及自研芯片客户的 HBM 供应合作请求，未来计划进一步深化与这些合作伙伴的技术合作。

此外，公司预计今年 HBM 产品销量将较 2025 年增长三倍以上，并正提前扩大 HBM4 产能。

三星电子存储器开发部门常务黄相俊强调：“三星 HBM4 摒弃了沿用已验证工艺的传统做法，采用 1c 级 DRAM、4 纳米代工等最先进工艺。凭借工艺竞争力与设计优化，我们预留了充足的性能拓展空间，可及时满足客户对性能提升的需求。”