NoMIS Power在SiC短路耐受时间方面取得重大突破

盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。

碳化硅（SiC）器件因其高效率、快速切换和卓越的热性能而在电力电子领域占据了重要地位。然而，与硅基IGBT相比，其短路耐受性一直较低，这对它们在高压和高可靠性环境中的使用构成了挑战，例如工业驱动器、电动汽车和电网应用。NoMIS Power的最新进展将SiC MOSFET的SCWT显著延长至最低5 µs（图 1），而目前的行业标准为2-3 µs，并且对特定导通电阻（Ron,sp）没有有害影响（图2）。这一增强功能极大地提高了可靠性，并为寻求在保持容错能力的同时最大化性能的系统设计人员带来了新的机会。

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