安森美半导体发布超低温电源封装技术

新技术
2025-12-08 13:22

盖世汽车讯 12月4日，安森美半导体（onsemi）宣布推出采用业界标准T2PAK顶部散热封装的EliteSiC MOSFET，进一步提升了汽车和工业应用领域的功率封装技术。这款新产品为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统等市场中严苛的高功率、高电压应用提供了更优异的散热性能、可靠..

盖世汽车讯 12月4日，安森美半导体（onsemi）宣布推出采用业界标准T2PAK顶部散热封装的EliteSiC MOSFET，进一步提升了汽车和工业应用领域的功率封装技术。这款新产品为电动汽车、太阳能基础设施和储能系统等市场中严苛的高功率、高电压应用提供了更优异的散热性能、可靠性和设计灵活性。

图片来源：安森美

安森美半导体最新推出的650V和950V EliteSiC MOSFET产品组合采用T2PAK封装，融合了公司业界领先的碳化硅技术和创新的顶部散热封装技术。首批产品已交付给主要客户，更多产品计划于2025年第四季度及以后陆续上市。通过在EliteSiC系列产品中引入T2PAK封装，安森美半导体为寻求在高电压应用中实现高效、紧凑和耐用的汽车和工业客户提供了一个强大的全新选择。