CeNS研究人员开发出道路安全传感器 用于事故多发弯道

盖世汽车讯 据外媒报道，印度政府科技部（Department of Science and Technology，DST）下属独立研究机构纳米和软物质科学中心（Centre for Nano and Soft Matter Sciences，CeNS）的研究人员开发出道路安全传感器的原型，可以植入事故多发的高危弯道上。

图片来源：CeNS

该原型由一种具有压力传感和能量收集特性的新型聚合物纳米复合材料制成。“科学家们一直在尝试开发用于自供电能量产生和压力传感设备的新材料，并将其用于多种应用。灵活、便携、持久和可穿戴的传感器和能量收集设备可以在当今的人工智能时代发挥重要作用。聚合物和纳米颗粒在当今的柔性电子系统中发挥着关键作用，”DST方面表示。

该部门还补充道，新原型可以植入可移动坡道，并在距离严重和致命弯道仅100米的地方固定在道路上。“因此，任何从对面驶来的车辆都会在屏幕上看到信号并收到警报。该原型的工作原理是压电效应，因此它可以产生能量，这些能量可以储存起来并进一步用于为电子设备供电。”

该原型由新型聚合物纳米复合材料制成，而该复合材料由过渡金属二硫化物制成。科学家Ankur Verma、Arjun Hari Madh u博士和Subash Cherumannil Karumuthil博士合成了表面电荷极高的二硫化钒（VS2），这种材料能够改善聚合物的压电特性。通过将这些纳米颗粒以不同的浓度整合到众所周知的压电聚合物聚偏二氟乙烯（PVDF）中，制备了聚合物纳米复合材料薄膜。

研究人员们还进一步研究了纳米粒子的表面电荷如何影响聚合物纳米复合材料的压电性能。此外，他们还建立了实验室规模的道路安全传感器和智能门演示，原型为压力传感器。

相关研究已发表于期刊《Journal of Material Chemistry A》，并提交了印度专利申请。

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