弗劳恩霍夫开发出1200 V GaN开关 通过集成续流二极管实现双向电流流动
- 新技术
- 2025-05-06 13:50
盖世汽车讯 电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要，也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道，弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（The Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF，Fraunhofer IAF）开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓（GaN）..
盖世汽车讯 电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要，也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道，弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（The Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF，Fraunhofer IAF）开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓（GaN）的电力电子元件，以推动电动汽车、能源工业和气候技术的进一步发展。
图片来源：Fraunhofer IAF
最近，Fraunhofer IAF在高压和低压元件方面取得了重大进展：在2025年欧洲电子制造技术与系统（PCIM Europe 2025）大会上，研究人员将展示一款阻断电压为1200 V的高度集成双向开关（MBDS)。他们还将演示如何在三电平T型转换器中使用带栅极触点的传统GaN晶体管作为双向开关。这两项成果均属于GaN4EmoBiL项目。
高效电力电子技术助力能源转型，刺激经济增长
来源：盖世汽车
微信分享
扫描二维码分享到微信或朋友圈
链接已复制