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弗劳恩霍夫开发出1200 V GaN开关 通过集成续流二极管实现双向电流流动

盖世汽车讯 电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要,也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(The Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF,Fraunhofer IAF)开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓(GaN)..

盖世汽车讯 电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要,也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道,弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(The Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF,Fraunhofer IAF)开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓(GaN)的电力电子元件,以推动电动汽车、能源工业和气候技术的进一步发展。

图片来源:Fraunhofer IAF

最近,Fraunhofer IAF在高压和低压元件方面取得了重大进展:在2025年欧洲电子制造技术与系统(PCIM Europe 2025)大会上,研究人员将展示一款阻断电压为1200 V的高度集成双向开关(MBDS)。他们还将演示如何在三电平T型转换器中使用带栅极触点的传统GaN晶体管作为双向开关。这两项成果均属于GaN4EmoBiL项目。

高效电力电子技术助力能源转型,刺激经济增长

来源:盖世汽车

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