罗姆推出采用紧凑、高散热TOLL封装的650V GaN HEMT

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN HEMT：GNP2070TD-Z。TOLL封装具有紧凑的设计、出色的散热性、高电流容量和卓越的开关性能，越来越多地被应用于需要高功率处理的应用，特别是在工业设备和汽车系统内部。对于此次发布，封装制造已外包给经验丰富的OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Test，外包半导体组装和测试）供应商ATX半导体（威海）有限公司（以下简称ATX）。

提高占世界电力消耗大部分的电机和电源的效率已成为实现脱碳社会的重大挑战。由于功率器件是提高效率的关键，因此采用SiC（碳化硅）和GaN等新材料有望进一步提高电源的效率。

罗姆于2023年4月开始量产其第一代650V GaN HEMT，随后发布了将栅极驱动器和650V GaN HEMT集成在一个封装中的功率级IC。这次，罗姆开发出将第二代元件集成在TOLL封装中的产品，并将其添加到现有的DFN8080封装中，以增强罗姆的650V GaN HEMT封装阵容——满足市场对更小、更高效的大功率应用的需求。

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