英诺赛科扩展100V GaN 以用于激光雷达
盖世汽车讯 据外媒报道，英诺赛科（Innoscience Technology）宣布扩展其产品组合，推出两款100V车规级GaN器件，用于加快LiDAR传感器的切换速度。其INN100W135A-Q的RDS（on）为13.5 mΩ，而较小封装的INN100W800A-Q的RDS（on）为80 mΩ，两者均通过AEC-Q101认证。除了激..
2024-11-02 12:57
罗姆推出采用紧凑、高散热TOLL封装的650V GaN HEMT
盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN HEMT：GNP2070TD-Z。TOLL封装具有紧凑的设计、出色的散热性、高电流容量和卓越的开关性能，越来越多地被应用于需要高功率处理的应用，特别是在工业设备和..
2025-03-03 13:19
弗劳恩霍夫开发出1200 V GaN开关 通过集成续流二极管实现双向电流流动
盖世汽车讯 电力电子技术创新不仅对能源转型的成功至关重要，也为欧洲经济发展提供可持续的支持。据外媒报道，弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（The Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics IAF，Fraunhofer IAF）开发基于宽带隙化合物半导体氮化镓（GaN）..
2025-05-06 13:50
CES 2026：CRI将发布超低发热GaN全数字放大器
盖世汽车讯 据外媒报道，音频和视频中间件开发商CRI Middleware Co., Ltd.将在CES 2026拉斯维加斯国际消费电子展上首次推出其采用氮化镓（GaN）技术的全数字放大器。图片来源：CRI Middleware该产品名为CRI D-Amp Driver × GaN，结合了公司专有的扬声器驱动技术和氮化..
2025-12-09 13:29
