英飞凌推出新一代适用于电动汽车的强大节能型IGBT和RC-IGBT器件

盖世汽车讯 电动汽车市场持续加速发展，纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的销量均呈现强劲增长。预计到2030年，电动汽车产量占比将实现两位数增长，达到45%左右，而2024年这一比例仅为20%。据外媒报道，英飞凌科技股份公司（Infineon Technologies AG）推出新一代产品，以满足市场对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求。这些产品包括专为400 V和800 V系统设计的EDT3（Electric Drive Train, 3 rd generation，第三代电力传动系统）芯片，以及专为800 V系统量身定制的RC-IGBT芯片。这些器件可提升电力传动系统的性能，使其特别适用于汽车应用。

图片来源：英飞凌

EDT3和RC-IGBT裸片经过设计，可提供高质量和可靠的性能，使客户能够创建定制功率模块。新一代EDT3相较于EDT2取得了显著进步，在高负载下总损耗降低高达20%，同时保持低负载下的效率。这一成就得益于优化设计，最大限度地降低了芯片损耗并提高了最高结温，从而平衡了高负载性能和低负载效率。因此，采用EDT3芯片的电动汽车能够延长续航里程并降低能耗，从而提供更具可持续性且经济高效的驾驶体验。

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